1樓：繪丶心
單晶矽不會也沒有必要做到1奈米。
我們常說的5nm工藝、7nm工藝，其中的5nm、7nm並不代表我們實際做出來的晶元上有5nm、7nm的尺寸。（FinFET工藝前，這個奈米指的是最小溝道長度，FinFET工藝後，這個奈米變成乙個等效的數值）
會不會有1nm工藝？我個人認為大概率不會有，因為成本和收益不匹配。1nm工藝結點，首先EUV是沒得跑了，EUV和DUV最大區別是EUV必須保證整個光刻環境是真空（因為空氣對EUV波段是不透明的），這導致成本劇增。
刻蝕等工藝也是比較大的挑戰，並且繼續縮小電晶體尺寸還會遇到很多問題，例如摻雜的漲落，柵氧厚度的漲落可能更加明顯，導致器件variation變大。現在晶元上很多問題已經不是整合度的問題了，例如功耗密度、可重構、能耗等。這也只是我的看法，某些大牛認為至少會到0.
1nm結點。
如果我們工藝最後停在了5nm，後續應該怎麼發展晶元產業？這其實是個很大的課題：後摩爾時代的產業走向。
現在還處於探索階段，不過針對現在晶元中的痛點，半導體工藝還是有很多有趣的方向：1、繼續縮小電晶體尺寸，矽基電晶體已經走到了極限，研究傾向於二維材料與奈米線材料，比較成熟的有MoS2和碳奈米管等。MoS2已經可以做1nm的電晶體（物理尺寸，有可能記錯了）。
2、瞄準低功耗應用，矽電晶體的亞閾值擺幅有乙個物理極限60mv/dec，有些材料具有更低的亞閾值擺幅，可以更快關斷，在開關過程中，能耗更低。3、片上儲存研究，這其實是個比較重要的領域，CPU中大面積都被SRAM佔據，如果在CPU中嵌入一種高密度，還不佔面積，且速度匹配SRAM的儲存器件，將極大提高CPU效能。4、新計算體系研究（器件），傳統計算系統是數字的，馮洛伊曼架構。
這個系統在大資料時代其實是有它的侷限的：馮洛伊曼瓶頸。現在有研究把計算和儲存器件合二為一，儲存和器件放在一起，所謂存算一體。
5、類腦計算架構，從器件上模擬人腦的機制，達到高效計算的目的。6、三維整合，傳統晶元只在乙個平面上做器件，錘直方向的空間其實是浪費了的。典型案例有2D NAND到3D NAND，技術有TSV、M3D等。
當然後摩爾時代，不光工藝可以進步，晶元設計也可以大有作為，設計新架構和計算體系，充分利用工藝。
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