1樓：打鐵燒磚
空位缺陷當然有化學勢啊。半導體物理怎麼學的。
你把空穴帶正電當成因為有空學所以電子往裡面跑，然後把這個過程逆過來，不就是空穴帶正電然後往反方向運動了嗎。
2樓：小侯飛氘
化學勢是自由能對粒子（缺陷）數的偏導，空位當然具有化學勢。晶體中形成乙個空位，對自由能通常有以下幾方面的貢獻：
空位產生了新的內表面，導致體系能量上公升
空位提高了原子結構的無序度，體系構型熵增加空位附近的聲子/電子態密度發生改變，體系聲子/電子熵增加因此，空位的化學勢可以由下式估算：
為空位帶來的構型熵變化，可直接由Boltzmann entropy公式推出（等價構型數的對數用Stirling公式展開，再對粒子數求偏導即可），這個值與空位濃度 有關：
和 為聲子和電子貢獻的熵增，需要進行聲子/電子DOS譜計算才能確定。不過這兩項的影響比較小（對金屬晶體而言，每個空位大約貢獻1~4 kb的熵），一般只在高溫下有明顯作用。
3樓：Nintendoyes
我覺得這個問題的答案要看你具體想處理乙個什麼樣的物理過程了。熱力學本來就是乙個唯象理論，所以要不要用熱力學參量來描述缺陷取決於你處理的系統是什麼。如果你處理的是比較大的體系，然後你要關注缺陷本身的行為，那用化學勢描述缺陷是可行的。
但如果你關注的體系不大，那你再單獨考慮缺陷的熱力學就有點沒必要。
4樓：宮非
2020-09-03
理想的介電質（dielectric）是非導電的物質，這類的晶體由於缺少導電電子和空缺，所以電導率趨近於 0。但由於溫度在絕對零度以上，原子產生熱振動，在真實晶體中原子排列多多少少會離開原本的週期位置，這就是存在規則原子陣列中的缺陷，可造成晶體的離子導電性。這些缺陷的存在，使得晶體的離子能在外場作用下在缺陷位置運動（hopping model），而使其導電性大增，故稱之為「離子導電性，ionic conductivity」。
圖 1.晶格畸變的幾種情況。(a).(b).置換式；(c).間隙式；(d). 產生空位。
晶體中某些原子的位置之週期性排列，被溫度或雜質破壞了，形成點缺陷（point defects）。其方式有：
1). 內在缺陷（intrinsic defects）：不含有外來雜質原子的點缺陷，又稱「本徵缺陷，intrinsic defect」。
(1). 蕭特基缺陷（Schottky defect）：1931 年 Walter Hermann Schottky 提出，若晶體中的某一原子，脫離其平衡位置後，並不在晶體內部構成間隙原子，而跑到晶體表面上正常點陣位置，構成新的一層原子，在內部留下空格點（vacancy）。
這種在晶體內部只有空位，而無間隙原子的本徵缺陷稱 Schottky defect，由於要保持電中性，正、負離子空位常成對出現，形成正、負空位。
(2). 夫倫克耳缺陷（Frenkel defect）：1926 年 提出，在晶體中，原子一般以其平衡位置為中心作熱振動，但當溫度公升高時，其中某些原子的振動加劇，脫離其平衡位置，進入間隙位置中，原來的位置變成空位。
這時空位與間隙原子（或間隙離子）成對出現、數目相等，合起來稱為Frenkel defect，其缺陷可能是正離子，也可能是負離子。
圖 2. 顯示離子固體中的 Frenkel 和 Schottky 缺陷
2). 外在缺陷（extrinsic defects）：外來的雜質原子進入基質晶體中構成的缺陷，又稱「雜質缺陷，impurity
defects」。
(1). 間隙式雜質缺陷：雜質原子進入晶體後，可以擠進基質晶體原子間隙位置，一般並不改變基質晶體原有的結構，成為間隙雜質原子。
(2). 置換式雜質缺陷：一種雜質原子進入晶體中，以取代了正常格點上的某種個原子。
圖 3.以二維表示一空位和一自格隙位置。
在一般的離子晶體中，離子導電性是因為有點缺陷（主要是空位）在外加電場作用下的定向漂移所導致，有二種可能移動的歷程如圖3。再外加電場作用下，晶體內的離子由晶格正常位置跳躍到乙個鄰近的等效空位位置上， 這叫作「空位歷程，vacancy mechanism」；或是間隙離子跳躍至一相鄰的等效間隙位置上，叫作「空位與格隙歷程，interstitial mechanism」。這些在離子晶格中間隙的移動模型稱為hopping model。
導電離子在跳躍的過程中，由於導電離子與周圍原子的互相作用，所以導電離子會循最低能量路徑來通過此路徑，跳躍過程必需克服最低「位能障礙，potential barrier，Ea」，即為「活躍能，activation energy」或導電活化能，才能離開原本的晶格位置到等效空位上。如圖4。
圖 4. Ea 為原子所需的活躍能；實心為原子，空心為空位。
總括來說，點缺陷可分成：間隙原子、雜質原子（正、負離子）或是空點格（空位）。空位形成應該是這樣的乙個過程：
晶體中的空位是在不斷形成又同時消失的，原子有可能跳入間隙位而產生了空位，也有可能是位錯而產生了空位。圖1 之各種狀態都有化學勢才對！
注：對給定物種i 的化學勢是這樣定義的：
1). 在熵恆定、體積恆定、所有其它物種的摩爾數恆定的條件下，系統內能相對於物種i 摩爾數增加的變化速率（除物種 i 外）。
2). 在恆溫、恆壓和除物種i 外的所有物種恆定摩爾數條件下，系統吉布斯自由能相對於物種i 摩爾數增加的變化速率。
圖 4.在表面上缺一原子的情況非常類似在固體材料內部晶格位置的空位缺陷，約略放大 20,000,000 倍。分類：
科普>>
物理>>結構
鉛筆芯裡面的石墨可以導電，那麼能否用鉛筆在紙上畫出乙個可以導電的 實用的電路？
假設鉛筆芯製作工藝精湛，實現了石墨濃度均勻分布，並且足以導電。那麼如果在光滑平面留下一行粗細均勻的連續帶狀痕跡當然沒問題。但是微觀條件下紙的表面粗糙，貌似連續的筆跡大概率會有間隔。而木頭一般來說絕緣性能比較好，所以通入高頻電流時會產生寄生電容，從而實現導電。然而低頻條件下，估計會有很大的電阻值。拓展...
現代科技能否完虐《進擊的巨人》裡面的巨人？
696969 肯定能的。你看牆內沒研究多久就搞出來了個雷槍，亂殺巨人。更別說馬來和其他國，他們沒有巨人，長期發展自己的科技。地鳴 之後再發展個幾十年，可能就再也不怕巨人了。 名稱待定 我記得巨人漫畫裡也說了，科技不斷進步，巨人優勢最終會消失殆盡 大意是這樣 大概 另外，真要對抗現代科技，那是光之巨人...
被吃雞裡面的隊友喜歡是什麼感覺？
本篇海王預警哈哈哈哈！一 突如其來的喜歡往往不可靠 打一晚上就誇可愛然後說喜歡，一拒絕就沒有然後了。我遇到過乙個小哥哥，打了一晚上之後很認真表白了三天，然後我拒絕了三天，這期間有別的小哥哥跟我打他會吃醋，emm三天之後就遊戲都打不了了。二 很常見的海王交手是 兩個人各種聊，關於感情他委婉的表白我委婉...