1樓：楊賀
你好看了您的回覆，有個問題就是您圖中用直接用 gnd 接g級那樣mos管會燒掉吧，因為mos管的 gs端耐壓只有20v 如果光耦導通， s對g 150v光耦會燒掉吧。
2樓：嚮導
下面電路需要重新設計，不適用輸入電壓過高的情況一般的mosfet VGS+- 20V的多，+-30V的也常見，所以用於24V輸入以下的情況是可以的，但是大於24V 以下電路不適用，請注意，避免被誤導。
Pmos 在150V下這樣設計可能有問題，下面電路我一般都是用在低壓情況下（24V或12V以下）
三極體選擇為2SC2625 開關速度 1us 可以選擇其他型號，耐壓要夠。
另乙個用光耦，這個因為沒測試，所以不知道速度夠不夠，但是對微控制器安全，可以試驗下，如果速度夠用，光耦也是不錯的選擇。
下面光耦採用三極體也可以，我不太清楚你怎麼查到的開關速度慢。
作為電源假設真的慢的話 pmos 非常危險，當然你負載電流小沒問題。如果開的慢當pmos處於半開狀態時容易擊穿。你說的這個是大問題。
因為你的資訊太簡略，大體畫了個圖
一般PMOS用法就是如圖，主要是150V電壓有點高了，很多時候的控制光耦可以是NMOS 三極體。
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