1樓：與非網
光刻技術是在晶元上構圖微細特徵的技術，有助於實現晶元工藝尺寸的縮減。在 3 奈米及以下的工藝中，晶元製造商可能將需要一種被稱為高數值孔徑 EUV（high-NA EUV）的技術。
當前 EUV 技術的下一代即上述高數值孔徑 EUV 技術仍然在研發階段。它直接面向 3 奈米及以下工藝，預計將於 2023 年問世，這種龐大的工具既複雜又昂貴。
5 奈米及以下正是 EUV 的用武之地。EUV 可以幫助晶元製造商在 7 奈米及以下的工藝中圖案化最難做的特徵。
雖然EUV 技術很難開發。不過，ASML現在正在交付其最新的 EUV 掃瞄器。該系統使用 13.
5 奈米波長和 0.33 數值孔徑透鏡，可以實現 13 奈米的解析度，每小時處理 170 個晶圓。
晶元製造商正在在 7 奈米工藝中使用基於 EUV 的單一構圖方法構圖微小的特徵。單圖案 EUV 可以處理的間距可以下探到大約 30-28 奈米。除此之外，晶元製造商還需要 EUV 雙圖案化。
如果能夠證明具備成本效益，那麼，在 5/3 奈米及以下，雙重圖案化 EUV 依然是乙個可選的選項。但是，為了獲取更大的投資回報，晶元製造商希望使用高數值孔徑的 EUV，這樣他們就可以繼續使用更加簡單的單構圖方案。
但是，高數值孔徑 EUV 掃瞄器非常複雜。該系統的解析度低至 8 奈米，同時配備 0.55 數值孔徑的透鏡。
這樣高的數值孔徑意味著需要使用變形鏡頭，而不是傳統的鏡頭設計。在掃瞄模式下，該變形鏡頭支援 8 倍放大，同時在另乙個方向上支援 4 倍放大。這樣便將面積縮小了一半。
因此，在某些情況下，晶元製造商會在兩個不同的掩模上處理晶元。然後，將掩模結合在一起並印刷在晶元上，同樣的，這也是乙個複雜的過程。
除此之外，還有一些其它的問題。比如現在沒有可用於高數值孔徑的抗蝕劑。幸運的是，現有的 EUV 掩模工具足以用於 3 奈米工藝。
總的來說，要實現高數值孔徑還需要解決數項挑戰。Stifel Nicolaus 分析師表示：「高數值孔徑的 EUV 尚需數年才能實現。
ASML 可能會在 2021 年開始提供 beta 系統。但是，正如半導體行業應用 EUV 的歷程所告訴我們的那樣，beta 系統並不意味著大批量生產就在眼前。」
圍觀網友互動現場，請戳：
FinFET都靠邊站？揭露3奈米及以下工藝節點的秘密-控制器/處理器-與非網
2樓：gyroscope
下一代應該沒有光刻了。X射線光刻的解析度並沒有那麼高。X射線光刻和紫外光刻的原理不同。
X射線不能被折射，也沒有好的反射材料，所以無法被聚焦。所以X射線是直接用1：1的掩膜放在晶圓上進行光刻。
而且X射線的能量太高，會產生二次電子，這個限制了最小解析度。不過X射線的好處是波長短，景深大，可以做厚膠光刻，製備高深徑比的結構，可以用於MEMS。
3樓：shun
乙個方向可能是共聚物光刻（block copolymer lithography）。但是還有很多技術需要解決，如有序度，時間。。。
4樓：tao chen
瀉藥，你看趨勢咯，就是不停縮短波長解決衍射極限咯，不過以目前的工藝來說已經加工很細了，再細下去晶元功耗就上來了。所以依老衲看未來還是個平行計算的世界。
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