1樓：勿忘
恆流區，你可以看做成乙個無限大的電阻，電壓增大，電阻也在增大，電流是不變的，這樣理解比較通俗易懂，你要看詳細的，可以看看半導體器件方面的書籍，一般都有解釋
2樓：63524
溝道夾斷後，Vds再增加，多餘的電壓主要會降落在高阻的耗盡區，也就是夾斷的那個部位。
而Id的大小取決於有效溝道處的壓降，也就是反型區的壓降，它在Vds達到Vsat以後就幾乎不變了，因此電流飽和。
答案僅供參考，不保證嚴謹，當初器件學得一般。
3樓：Luca丁
記得形成恆流區的條件是什麼嗎？Vds>=Vgs-Vth。有沒有思考過為什麼是這樣的呢？
你可以考慮把source接地的情況，在source和drain之間的電壓是連續變化的，也就是說在source為0，在drain為Vds，在中間為0與Vds的情況。
現在考慮Vds=Vgs-Vth。在Drain的地方電壓為Vgs-Vth，它與gate的電壓差正好為Vth。還記得mosfet的導通條件是什麼嗎，vgs要大於Vth，所以這一點恰好導通，稱為夾斷，如左邊這張圖。
此時再增大Vds，可以想象的是夾斷的那一點左移，如右圖。在不考慮溝道調製的情況下，我們認為溝道的長度是近似不變的，因此電流沒有發生變化。形成恆流區。