1樓：
實際上DRAM和Flash的製程技術還是很不一樣的。對Flash而言，最早是floating gate，但是floating gate隨著元件尺寸的縮小在可靠度方面出現了很多問題。現在SONOS要慢慢開始進入市場了，SONOS 同floating 相比用trap儲存電子在retention方面和reliability方面有了很多提公升；未來的話基本上是RRAM的天下了。
同時3D技術也開始出現，三星已經做出來36層的元件（具體30幾記不清了），這樣在面積的利用上已經進步很大了。等我有空再好好整理一下這個回答。DRAM方面我還得整理一下材料。
2樓：龔黎明
自然是flash技術了。說到儲存，就沒有比這個近十年來帶來的改變更大。不過說起來，上面兩張圖的儲存介質其實沒什麼區別，都是flash，而且應該都是MLC的SSD。
要說為什麼乙個容量高，乙個容量低，感謝偉大的摩爾定律吧，想想十年儲存密度能夠翻多少翻就知道了。不是工藝原因？擦，flash這種無限重複的單元，提高容量不靠工藝靠什麼？
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