1樓：
LED是基於PN結的空穴電子 radiative recombination的光電子器件。簡單談談多重量子阱（Multi Quantum Well）在LED中的必要性。
首先，決定LED發光效率和強度的是Minority Carrier的濃度（影響到 radiative recombination rate），我們認為少子的平均diffusion length是在1-20um， 而同質半導體組成Homojunction，由於無法限制少子的移動，使得少子在pn結附近濃度很低。如下圖（a）
而採用兩種不同的bandgap的半導體組成的heterojunction則能形成well，使PN結附近少子濃度提高，從而提公升radiative recombination rate。
然而這只是阱，而非量子阱，當不同半導體A,B組成的阱的厚度小於A（Active layer）中少子的德布羅意波長時，稱之為量子阱，此時能帶變為分離能級，發光特性只需考慮分立能級躍遷，發光峰窄而尖銳。同時radiative recombination rate進一步提高，見下圖
量子阱厚度L的變化將直接影響產生分立能級的位置（Ee1 Ee2等）,所以將影響LED發射峰位置。
L也會影響少子濃度，進而影響發射光的強度和效率。
量子阱中的量子隧穿效應和一般pn結中導致隧道電流隧道效應是一回事嗎？
龍小虎 是一回事。PN結中的隧道電流部分就是隧穿效應引起的，只是為了計算方面按照隧穿原因分為了若干種模型，像電場相關的 如 Fowler Nordheim tunneling 還有很多陷阱輔助的。此外問題描述中有不夠準確的地方。二極體反向耐壓時還有熱電子發射 Thermionic emission ...
量子計算機的實現是否一定需要離子阱和雷射冷卻？
Pylos 動態解耦比較常見，常用微波脈衝有CPMG XY UDD 射頻脈衝MREV還有其他研究人員自己提出的在這些脈衝基礎上衍生出來的脈衝如級聯型脈衝CDD KDD 還有很多。 黑翼法師 如光學小豆芽同志所說，LZ所說的量子計算機是屬於離子阱的品種。此外還有很多其他種類，簡單的綜合介紹請見 重磅 ...