1樓：郭忠明
先看一組假定資料，假定cpu頻率是4Ghz，每個時鐘週期為2.5*10的-10次方秒，電流傳遞速度低於光速(參考光纖中光在高純度二氧化矽中傳遞的速度大約是真空光速的三分之二)，假定為光速的三分之一，10的8次方公尺/秒，cpu die的同步模組要求保證各處時鐘傳輸誤差在1個時鐘週期內，那麼最大允許長度=2.5*10的-10次方秒 * 10的8次方公尺/秒=0.
025公尺=2.5厘公尺。因此，該cpu的die核心同步模組的寬度應小於2.
5厘公尺，已經受電流速度影響了。
頻率越高，時鐘週期越短，乙個時鐘週期內電流跑的距離越小，cpu die同步模組允許的寬度越小。頻率越低，時鐘週期越長，乙個時鐘週期內電流跑的距離越大，cpu die同步模組允許的寬度越大。
電流速度不僅受光速影響，還受電容效應影響，電壓越高充電速度越快，電場前移的速度越快，電流速度就越快，乙個時鐘週期內電流跑的距離越大，cpu die同步模組允許的寬度越大。
同等工藝同等電壓同等頻率下，CPU die面積越大，電晶體數量越多，電晶體數量與面積成正比，假定每個電晶體功耗一致，那麼，功耗大致與面積成正比。
不是半導體專業人士，只是大致給出乙個參考值做個簡單分析。
2樓：
說法還能看待？無非就是對不對。
電流速度限制CPU體積嗎？限制，但是3d stacking沒商用，只有概念，現在一般只說die size(面積)不說體積。
頻率越快為了不漏電，面積（體積）越大。比如為了頻率會弄ttl。
電壓和die size沒關係，是半導體決定電壓，不是電壓決定半導體。
電流速度決定頻率上限。
功耗不一定和面積（體積）有函式關係，要看工藝，架構，頻率等等。
如果感興趣，想系統的學，可以去讀一遍電子工程的課程。
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