FinFET和FD SOI的比較

1樓：謝志峰

主持人：

今天聊乙個比較重要的訊息，就是格羅方德宣布放棄7nm FinFET工藝開發。這個新聞對於非工科的小白來說也是非常難懂。首先請謝院長科普一下什麼是FinFET？

謝院長：

這個聽上去有點繞口，也不知道怎麼念。我們知道在金融界，有乙個很時髦的名詞FinTec，也就是finace technology的意思。而FinFET中的FET就是「Field-Effect Transistor」。

也就是我們大家比較熟悉的MOS管。在這裡裡用了而乙個比較拗口的名字「FinFET」，實際上它很簡單，是從過去的兩維的電晶體或者開關變成了三維立體的。

我們簡單聊一下它的一些特性。它的密度、整合度更高，而且漏電流更低。所謂的漏電流就是說，一般關掉電，理論上應該沒有電流的，但實際上還是有洩露的，並沒有完全關掉。

我們很多的積體電路在關掉的狀態下還在消耗電，原因就是有漏電流。

主持人：

那我手機經常會發燙是這個原因嗎？

謝院長：

不是。手機發燙是開的越大，電流越大。它就會產生很多熱，也就焦耳熱。就是消耗電流，說白了就是歐姆定律。任何乙個電流流過乙個電阻它都會產生熱量，這個是電能變熱能。

那麼除非是電阻為零，否則他就會有。

好的晶元它就不容易發熱。也就是說它的那個漏電流比較小我們這有資料的至於麼好處啊或者沒有幾乎沒有。用三維的這個FinFET，它的漏電流比原來的兩維的要小很多。

所以它比較省電，而且整合度比較高。從14奈米開始，業界就開始採用FinFET的電晶體。

2樓：周知

FD-SOI比finfet更適合做模擬（FD-SOI可以調襯偏，finfet優勢是高速數位電路），因此做大規模混合電路FD-SOI比finfet設計週期要短一些。據說（注意是據說）是因為法中國人不肯賣FD-SOI銅層厚度處理的專利，英特爾才不用的。不過FD-SOI貴，是硬傷。