1樓：雷蕾
長江儲存在192層3DNAND儲存工藝已經研製成功，預計將會在明年的六月份實現量產。目前長江儲存的水平至少追趕上了世界的主流水平。晶元的製造過程是乙個非常複雜的過程，長江儲存所取得成就在晶元研製終將會在晶元領域取得突破。
2樓：茜茜吖
長江儲存這幾年發展的的還是非常的迅速的。據我所知，目前長江儲存的快閃儲存器技術已經屬於是國際一線水平了。尤其是他的xtacking技術，即便是對比國際大廠也是處於部分領先的狀態。
也是長江儲存能夠短時間崛起的最大原因。
3樓：一口鹹
長江儲存從16年開始就大力發展了吧，這兩年都在搞自己的xtacking構架，Xtacking構架可以在一平方厘公尺的面積上實現數百萬根金屬通道的連線。是國際上目前處於絕對領先的一種快閃儲存器技術，可以給中國的快閃儲存器技術帶來很大的發展。
4樓：天路
長江儲存。該公司在2023年成立開始就將所有的研發投入到儲存晶元的開發中，經過4年多的努力，他們成功打造出世界領先級別的產品。長江儲存實現一次實現突破，在3D NAND快閃儲存器晶元的效能上超越美光科技、SK海力士等國際巨頭，達到全球領先水準。
5樓：飄雪
在晶元技術的研發上中國已經有了飛速進展，但在製造量產上還是短板。這兩台光刻機的引進將大大提高中國在晶元製造工藝上的水平。
6樓：花朵朵
說起長江儲存的技術，第一時間想到的就是xtacking技術，這個技術可以說是長江儲存這些年發展的根本，也是長江儲存能夠短時間實現趕超的原因。
在長江儲存xtacking架構推出前，市場上的3D NAND主要分為傳統並列式架構和CuA架構。長江儲存原本在構架方面也遇到了不少的問題，還好，其通過創新布局和縝密驗證，在經過長達8年在3D IC領域的技術積累和2年的研發驗證後，成功在3D NAND快閃儲存器上開創了晶圓鍵合技術。這項技術可以在指甲蓋大小的面積上實現數百萬根金屬通道的連線，合二為一成為乙個整體，擁有與同一片晶圓上加工無異的優質可靠性表現，同時這項技術也為未來3D NAND帶來更多的技術優勢和無限的發展可能。
而且研究表明，隨著層數的不斷增高，基於xtacking所研發製造的3D NAND快閃儲存器將更具成本和創新優勢。事實也確實如此，長江儲存最新的128層產品就是基於全新的xtacking 2.0技術打造出來的。
不難看出，長江儲存在xtacking技術上的從無到有，再到現在的2.0技術，就是長江儲存最大的技術突破。
7樓：暮光青檸
要說長江儲存的技術突破，無外乎兩個方面。
第一就是長江儲存向外界展現的，其3D NAND從32層到64層，再直接跳過96層來到128層，而長江儲存開始研發的時候，國際上已經有64層的成熟產品了，也就是長江儲存用四年的時間，將兩代多的差距縮短為一代。
第二就是長江儲存的核心技術——Xtacking構架，Xtacking構架是在指甲蓋大小的面積上實現數百萬根金屬通道的連線，合二為一成為乙個整體，擁有與同一片晶圓上加工無異的優質可靠性表現，這項技術為未來3D NAND帶來更多的技術優勢和無限的發展可能。隨著層數的不斷增高，基於Xtacking所研發製造的3D NAND快閃儲存器將更具成本和創新優勢。這個構架從無到有，再到現在的2.
0，是長江儲存這四年的成績。
如今，長江儲存128層3D NAND加上Xtacking 2.0構架，讓長江儲存128層的產品效能已經達到世界192層產品的效能，這就是長江儲存的彎道超車。
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