1樓：twins
是這樣的，首要Flash晶元要求在修正乙個Cell中的位的時分，在修正之前，必須先Erase即擦除掉這個Cell。Erase完結之後，Cell中全為1，然後再寫入資料。寫入時，當某個Cell的資料位剛好為1，這個Cell的電路就不做任何動作；如果遇到待寫入某個Cell的資料位為0，電路將對應Cell的字線電壓提高到足以讓電子穿過絕緣體的高度，這個電壓被加到Control Gate上，從而對Cell中的FG進行充電，Cell的狀況從1變為0，完結了寫入，這個寫0的動作又叫做「Programm」。
因為Flash的最常見表現形式——EPRROM一般是唯讀的，可是一旦要將其間的程式更改，則需求從頭寫入新程式，即Re-Programm，所以就順便將寫入Flash的過程叫做Programm了。一塊簇新的SSD上一切Cell都是現已被Erase好的，也能夠運用特殊的程式對整個SSD從頭整盤Erase。你斷定MAXII有使用者FLASH嗎?
我記住是有幾KB的片內FLASH，但不斷定是不是專門用來載入的。
如果有，到quartus裡例化乙個IP硬核，然後呼叫.v檔案就行了
2樓：Lucifer
一般在晶元外表都會有其詳細的型別,如:JS28F128J3D-75和JS28F128J3F75,這兩塊晶元的型別的不同就在其字尾,3D和3F,看它的datasheet,你就會發現D是D = Intel 0.13工藝,F
是Lithography F = 65nm工藝。
先看晶元是哪個型別，再看它的datasheet就知道啦！這個好簡略，你先界說乙個div為父層，position:relative;然後放flash在這個層中，再就界說乙個div這個用來放在flash上面，界說position:
absolute;最終就界說一下top: left: 這兩個特點就可以·
3樓：七個鑼鼓鏘咚鏘
一般在晶元外表都會有其詳細的型別,如:JS28F128J3D-75和JS28F128J3F75,這兩塊晶元的型別的不同就在其字尾,3D和3F,看它的datasheet,你就會發現D是D = Intel 0.13工藝,F
是Lithography F = 65nm工藝。
先看晶元是哪個型別，再看它的datasheet就知道啦！很簡單嘛，別離放在同一層的不同的幀段裡，在每一幀段的未尾安插乙個隨機函式，操控其跳到隨機發生的幀段的開端處播映就行了。
4樓：
其實積體電路有很多種工藝，你提到的10nm其實指的是CMOS工藝（或者finfet?），用於絕大多數的數字晶元。
Flash（也就是Memory的一種）屬於另外一種工藝的（或者說白了，不是常規的N/PMOS構成；它的FET結構也是和常規的不同，有floating gate）。
回到問題，如果10nm在這裡指的是更小的電路，那麼Flash晶元肯定是朝這個方向發展（因為可以將單位面積的memory cell做的更多，容量就更大）。但是，根據我的了解，其實Flash也是在往3D方向發展（就是一層silicon上面再疊一層silicon，然後再疊。。），通過這種方式增加density。
但是10nm的尺寸太小了，以目前的flash原理，它是很大概率沒法勝任的（因為floating gate儲存的電子會洩露掉）。
頻率解析度的定義究竟是什麼，不是2 M嗎？（M為DFT的點數），我知道補零不會改變原離散N點的頻譜？
還要乘上取樣頻率。題主的關注點錯了。我們實際應用裡，常常最關注的，不是離散訊號。而是關注得到離散訊號的原來那個連續訊號。而基於這個離散訊號的一些分析，是想要得到那個連續訊號的資訊。於是 1。如果取樣都是滿足取樣定律的。那 DTFT 裡面就包含了原來連續訊號的所有頻率資訊。那麼，對 DTFT 取樣越密...
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Bailm 我也遇到了一樣的問題,macOS 下的解決辦法 開啟 terminal 檢視U盤識別的磁碟號 diskutil list dev disk2 external,physical TYPE NAMESIZE IDENTIFIER 完全擦除裝置 diskutil eraseDisk free...
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小柯基分享 目前M1晶元支援軟體很少 因為是新架構，還有乙個轉譯功能，但是轉譯過來的軟體幾乎沒有優化，還可能存在很多BUG，蘋果的穩定性的優勢蕩然無存，需要做設計的工科男趕緊繞道。還不能用虛擬機器，那Win10系統肯定是不能裝的！微軟的Office軟體當然也不能用，只能用WPS辦公，更多的開發者軟體...